此前，三星前代芯片Exynos 2600的最快核心最高主频可达 3.90GHz，当时三星在 2nm GAA 工艺上实现了 60% 的良率。爆料者指出，随着Exynos 2700的推进，三星计划在 2026 年下半年将 SF2P 节点的良率提升至 65% 至 70% 的区间。半导体物理学表明，更高的良率与更高的时钟频率之间存在正比例关系。更高的良率意味着更好的制造一致性，可以带来晶体管的洁净切换、最小化信号传输延迟以及减少电流泄漏，从而降低信号退化的风险。

如果良率表现不佳，电流泄漏将会浪费能源，导致芯片即使在较低频率下也会产生更高温度；反之，若良率提升，则能够减少能量浪费，为Exynos 2700的超大核提供充足的散热余量，以实现更高的时钟速度。不过，要让超大核达到 4.20GHz 的目标，仍然需要适当提高电压，这可能会带来额外的发热和功耗。

除了制造工艺的突破外，Exynos 2700还将借助全新的封装设计来进一步提升性能。三星据悉将放弃板载内存方案，转而采用类似于苹果 A20 Pro 晶圆级多芯片模块的侧边并排架构。结合三星据称效果媲美液氮冷却的散热通道块设计，该芯片在冲击更高频率时将获得强有力的支持。然而，业内分析认为，如何实现更好的持续性能表现，比起单纯追求短时间内的峰值频率更为重要。