SK hynix与SanDisk近日正式发布全新的高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）标准，旨在解决当前AI加速器在高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间存在的巨大性能差距，并打造一个面向企业级生态的全新存储平台。两家公司希望通过这一标准，促使更多厂商开发兼容产品，共同构建新一代AI存储体系。
从定位上看，HBF被设计为介于HBM与企业级SSD之间的中间层方案，兼具一定的带宽表现与更高的容量优势。与HBM类似，HBF同样依靠多颗存储芯片层叠封装，不过采用的是NAND闪存而非DRAM，以此在保持较高访问性能的同时显著提升存储密度。在实际应用中，HBM负责承载大模型推理过程中立即参与计算的参数，而HBF则以更大容量补足整体模型的存储需求，两者形成分层协同而非完全替代关系。
根据SK hynix与SanDisk公布的规格，单个HBF配置最高可提供512GB容量，带宽区间则覆盖0.4TB/s至3TB/s。报道以一个拥有5000亿参数的AI模型为例进行说明：若按照“每GB可容纳10亿参数”来粗略估算，该模型需约500GB存储空间。在成本与功耗均不现实的前提下，企业难以将整个模型全部部署在HBM中，此时便可将大部分参数存放于HBF，同时让关键计算部分常驻HBM，从而在成本与性能之间取得更佳平衡。
在互连方面，高带宽闪存支持UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express，通用芯粒互连）规范，使HBF能够以芯粒形式灵活接入各类CPU与GPU，构建更具扩展性的系统架构。SK hynix解决方案开发负责人金春成（Kim Chun-sung）表示，公司将“拓展内存与存储之间的边界，并助力构建可提升整体系统效率的新架构”。这也意味着未来AI服务器在设计时，可以按照算力、带宽与容量需求对HBM、HBF和传统存储进行更精细的分层与组合。
与此同时，竞争格局也在快速形成。除了与SanDisk携手推动HBF标准普及外，SK hynix的本土对手三星已通过与英伟达等厂商的合作，在CMX（Compute Express Memory/Storage扩展类方案）方向上加快布局。三星依托其V10与V11 NAND闪存产品，这些产品可实现高达500层的堆叠结构，目标是为AI服务器提供极高性能的存储子系统，使GPU能够以更低延迟访问海量数据，从而提升推理吞吐与效率。
在AI算力与数据规模持续爆发的背景下，高带宽内存与高性能闪存之间的“中间地带”正在成为新战场。究竟是由SK hynix与SanDisk推动的HBF标准率先获得市场认可，还是由三星牵头的CMX方案在与英伟达的深度绑定中占据优势，目前尚无定论。可以预见的是，随着相关产品与生态在未来数月和数年内逐步落地，AI服务器的存储架构将迎来新一轮大幅演进。
